上篇推文我們講到了氮化鎵GaN是什么，那么今天這篇文章我們將跟大家分享GaN如何提高效率！

功率晶體管是造成開關(guān)電源功率損耗的主要因素之一。晶體管損耗通常分為兩類；傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。傳導(dǎo)損耗是指晶體管接通電流時(shí)引起的損耗，而開關(guān)損耗則是在開關(guān)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)發(fā)生的損耗。

打開之后的GaN晶體管（和硅晶體管一樣）就像是設(shè)在漏源之間的電阻，通常表示為Ron，傳導(dǎo)損耗與此電阻成比例。GaN和其他WBG材料的主要優(yōu)勢(shì)是它們?cè)趽舸╇妷汉蚏on之間的關(guān)系。圖1顯示了硅、GaN和碳化硅(SiC，另外一種WBG材料)的這種關(guān)系的理論限值。可以看出，達(dá)到給定的擊穿電壓時(shí)，WBG設(shè)備的Ron遠(yuǎn)低于硅，GaN是三者當(dāng)中最低的。由于硅即將達(dá)到理論限值，要繼續(xù)提高Ron，就需要使用GaN和其他WBG材料。

圖1：Si、GaN和SiC晶體管的Ron相對(duì)于擊穿電壓的理論限值

GaN降低開關(guān)損耗的另一種方法是不使用體二極管。為避免發(fā)生短路情況，半橋的兩個(gè)開關(guān)均斷開時(shí)會(huì)出現(xiàn)一個(gè)時(shí)間段，稱為“死區(qū)時(shí)間”。在此期間，電流繼續(xù)流動(dòng)，但是由于兩個(gè)開關(guān)均已關(guān)閉，所以會(huì)迫使電流通過體二極管。體二極管開啟后的效率比硅晶體管的Ron電阻低得多。GaN晶體管沒有體二極管。原本流經(jīng)硅晶體管體二極管的電流反而會(huì)流經(jīng)Ron電阻。這顯著降低了死區(qū)時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生的損耗。

由于硅晶體管的體二極管在死區(qū)時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通，因此必須在打開另一個(gè)開關(guān)時(shí)將其關(guān)閉。在此期間，電流會(huì)在二極管關(guān)閉后反向流動(dòng)，從而增加損耗。GaN晶體管中不存在體二極管，所以反向恢復(fù)損耗接近零。